This page in English | версия для печати
Для генерации электричества от солнца вам нужен солнечный модуль, который состоит из одного или многих солнечных фотоэлектрических элементов. Когда на солнечный элемент падает солнечных свет, материал солнечного элемента поглощает часть солечного света (фотоны). Каждый фотон имеет малое количество энергии. Когда фотон поглощается, он инициирует процесс освобождения электрона в солнечном элементе. Вследствие того, что обе стороны фотоэлектрического элемента имеют токоотводы, в цепи возникает ток когда фотон поглощается. Солнечный элемент генерирует электричество, которое может быть использовано сразу или сохранено в аккумуляторной батарее.
Пока солнечный элемент освещается, процесс образования свободных электронов продолжается и генерируется электричество. Материалы, из которых делается элемент - это полупроводники с особыми свойствами.
Простейшая конструкция солнечного элемента (СЭ) - прибора для преобразования энергии солнечного излучения - на основе монокристаллического кремния показана на рис. 1. На малой глубине от поверхности кремниевой пластины p-типа сформирован p-n-переход с тонким металлическим контактом. На тыльную сторону пластины нанесен сплошной металлический контакт.

Когда СЭ освещается, поглощенные фотоны генерируют неравновесные электрон-дырочные пары. Электроны, генерируемые в p-слое вблизи p-n-перехода, подходят к p-n-переходу и существующим в нем электрическим полем выносятся в n-область. Аналогично и избыточные дырки, созданные в n-слое, частично переносятся в p-слой (рис. 2а). В результате n-слой приобретает дополнительный отрицательный заряд, а p-слой - положительный. Снижается первоначальная контактная разность потенциалов между p- и n-слоями полупроводника, и во внешней цепи появляется напряжение (рис. 2б). Отрицательному полюсу источника тока соответствует n-слой, а p-слой - положительному.
Величина установившейся фотоЭДС при освещении перехода излучением постоянной интенсивности описывается уравнением вольт-амперной характеристики (ВАХ) (рис. 3):
U = (kT/q)ln((Iph-I)Is/+1)
где Is- ток насыщения, а Iph - фототок.

ВАХ поясняет эквивалентная схема фотоэлемента (рис. 4), включающая источник тока Iph=SqN0Q, где S - площадь фотоэлемента, а коэффициент собирания Q - безразмерный множитель (<1), показывающий, какая доля всех созданных светом электронно-дырочных пар (SN0) собирается p-n-переходом. Параллельно источнику тока включен p-n-переход, ток через который равен Is[eqU/kT-1]. p-n-Переход шунтирует нагрузку, и при увеличении напряжения ток через него быстро возрастает. В нагрузку (сопротивление R) отбирается ток I.
Уравнение ВАХ справедливо и при освещении фотоэлемента светом произвольного спектрального состава, изменяется лишь значение фототока Iph. Максимальная мощность отбирается в том случае, когда фотоэлемент находится в режиме, отмеченном точкой а (см. рис. 3).
Максимальная мощность, снимаемая с единицы площади, равна
P = Iph*U = x*Iкз*Uхх ,
где x - коэффициент формы или коэффициент заполнения вольт-амперной характеристики, Iкз - ток короткого замыкания, Uхх - напряжение холостого хода.
Солнечные модули могут генерировать электричество в течение 20 и более лет. Износ происходит в основном от воздействия окружающей среды. Хорошо смонтированная солнечная батарея будет надежным, тихим и чистым источником энергии в течение многих лет.
Дополнительная информация: М. Мейтин. "Пусть всегда будет солнце!"
Использовалась информация с сайта http://www.mysolar.com и других, дополненная специалистами "Вашего Солнечного Дома"
За последние 30 минут сайт посетило 79 чел.
Наши координаты:
Москва, 10-я Парковая, 18.
Тел.: +7 (499) 7489064, (499) 7489072, (495) 9568850 доб.200734, email:
При копирования ссылка на источник обязательна. Читайте Правила копирования информации
По всем вопросам работы сайта обращайтесь: