ГЛАВНАЯ -> Основы возобновляемой энергетики -> Фотоэлектричество
документы этого раздела
Фотоэлектричество Иррадиация Фотоэлектрический эффект Солнечные элементы Фотоэлектрические модули Срок службы солнечных батарей	Фотоэлектрические системы Контроллеры заряда Ориентация и препятствия Угол наклона Инверторы Полезные ссылки про СБ

This page in English | версия для печати

Солнечные элементы

Структура солнечного элемента из кремния

1. свет (фотоны)   2. лицевой контакт  3. отрицательный слой
4. переходной слой  5. положительный слой  6. задний контакт

Солнечные элементы (СЭ) изготавливаются из материалов, которые напрямую преобразуют солнечный свет в электричество. Большая часть из коммерчески выпускаемых в настоящее время СЭ изготавливается из кремния (химический символ Si). Кремний это полупроводник. Он широко распространен на земле в виде песка, который является диоксидом кремния (SiO2), также известного под именем "кварцит". Другая область применения кремния - электроника, где кремний используется для производства полупроводниковых приборов и микросхем.

Структура солнечного элемента

Прежде всего , в СЭ имеется задний контакт и 2 слоя кремния разной проводимости. Сверху имеется сетка из металлических контактов и антибликовое просветляющее покрытие, которое дает СЭ характерный синий оттенок.

Типы солнечных элементов

СЭ может быть следующих типов: монокристаллический, поликристаллический и аморфный (тонкопленочный). Различие между этими формами в том, как организованы атомы кремния в кристалле. Различные СЭ имеют разный КПД преобразования энергии света. Моно- и поликристаллические элементы имеют почти одинаковый КПД, который выше, чем у солнечных элементов, изготовленных из аморфного кремния.

Монокристаллические, поликристаллические и аморфные солнечные элементы

В последние годы разработаны новые типы материалов для СЭ. Например, тонкопленочные фотоэлектрические элементы из медь-индий-диселенида и из CdTe (теллурид кадмия). Эти СЭ в последнее время также коммерчески используются. Технологии их производства постоянно развиваются, за последнее десятилетие КПД тонкопленочных элементов вырос примерно в 2 раза.

Последние технологии используют гибридные методы. Так появились элементы, которые имеют как кристаллический переход, так и тонкий полупрозрачный аморфный переход, расположенный над кристаллическим. Так как кристаллы и аморфный кремний наиболее эффективно преобразуют только часть спектра света, и эти спектры немного отличаются, применение таких гибридных элементов позволяет повысить общий КПД солнечного элемента.

Ниже приведен график изменения КПД солнечных элементов за последние десятилетия. Как видим, в лабораториях уже получены результаты, приближающиеся к 45%. Конечно, до массового коммерческого использования такие технологии дойдут еще не скоро, но работа по удешевлению изготовления солнечных элементов постоянно ведется во всем мире. Как видно, максимальный КПД получают на многопереходных элементах и концентрированном освещении.

Пиковый ватт

Солнечный элемент производит электричество когда освещается светом. В зависимости от интенсивности света (измеряемой в Вт/м²), солнечный элемент производит больше или меньше электричества: яркий солнечный свет более предпочтителен, чем тень, и тень более предпочтительна, чем электрический свет. Для сравнения СЭ и модулей необходимо знать так называемую номинальную мощность элемента или модуля. Номинальная мощность, выращенная в ваттах пиковой мощности Wp, это мера того, сколько электроэнергии может произвести фотоэлектрический модули при оптимальных условиях.

Для определения и сравнения номинальной мощности солнечных панелей, выходная мощность измеряется при стандартных тестовых условиях (СТУ). Эти условия предполагают:
- освещенность 1000 Вт/м²
- солнечный спектр AM 1.5 (он определяет тип и цвет света)
- температура элемента 25 °C (это важно, так как эффективность СЭ падает при повышении его температуры).

Так как в реальных условиях работы такие параметры практически недостижимы, в последнее время все больше производителей указывают параметры модуля в так называемых "нормальных условиях" (NTC), т.е. при температуре модуля 40-45 градусов и освещенности 800 Вт/м²

Пример:

Кристаллический кремниевый СЭ с размерами 10 x 10 см имеет пиковую мощность примерно 1,5 Wp. Большинство панелей с площадью 1 квадратный метр имеют номинальную мощность около 100 Вт_пик (уточнение: если они сделаны из кристаллических кремниевых элементов).

Использовалась информация с сайта http://www.mysolar.com и других, дополненная специалистами "Вашего Солнечного Дома"

:: меню

:: Поиск по сайту

:: ICQ контакты

379315905

:: баннеры

Текущие посетители